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Inphenix公司成功研制出新型840nm的大功率宽带SLED器件
第一武汉网:武汉城市圈商贸资讯专业平台   2009-01-15 02:50:31 作者:第一武汉网 来源:第二太阳网 文字大小:[][][]
  作为电信、医疗, 工业、航空航天和安全等领域光电器件和子系统领先的供应商,Inphenix公司高兴地宣布公司已经研制出新型840nm的大功率宽带SLED器件,该款SLED器件的带宽大于30nm,功率大于5mw,能应用于工业和医疗领域。

  新款的840nm SLED扩展了Inphenix公司在750-1600nm波段的Sled产品线,增强了Inphenix的GaAs光学器件在OCT领域的应用表现。840nm波长SLED使用了独特的多重量子阱设计,使之具有功率大、带宽宽、以寿命长的特点,器件工作更稳定。

  目前840nm SLED已经开始批量发货,可接受小批量和大批量订货


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